用基于原子层控制异质外延技术，在硅基上实现了无界面层外延生长，制备出高介电常数的铝酸镧薄膜，降低了超薄高介电常数薄膜漏电流，解决了下一代场效应器件的关键技术之一。铝酸镧晶体具有钙铁矿型结构.在温度大约为800K时,该结构经历了一个从立方到三角的相变，对于晶体中的顺磁离子,相变会引起一些能级的分裂,并发生ERPg因子从各向同性到各向异性的转变。

目前有关铝酸镧单晶和掺质铝酸镧单晶的光谱性质研究，有分别掺Nd3+、Er3+、Eu3+和Ce3+的铝酸镧单晶的光谱研究报道。铝酸镧作为一种新型的稀土材料，在电子器件、催化、高温燃料电池、陶瓷、污水处理、衬底材料等方面得到了广泛应用。铝酸镧属于钙钛矿结构的ＡＢＯ３化合物，具有介电常数小，介电损耗低，晶格匹配好，热膨胀系数小，化学稳定性好，能隙宽，比表面积大。

铝酸镧（LaAlO3）晶体由于与超导、铁电、锰氧化物巨磁电阻等材料具有良好的晶格匹配性能,且界面层中原子不易和其他材料发生界面反应而被广泛地用作生长外延薄膜的衬底材料。铝酸镧（LaAlO3）在常温下结构的空间群为R3c,晶格参数为a=0.5357nm和a=60°6′。目前，用来制备纳米铝酸镧的方法很多，其中较常用的有：燃烧合成法，共沉淀法，溶胶凝胶法，醇盐水解法。在这些方法中燃烧法具有明显的优势。